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下列关于ISFET说法错误的是:ISFET

单选题匿名用户 2024-09-19 0

问题: 下列关于ISFET说法错误的是:ISFET

A: 具有金属栅极以及绝缘栅

B:通过半导体沟道的电导率发生变化

C:绝缘栅(绝缘膜)裸露或在它上面涂以敏感膜。

D:阈值电压VT与敏感膜和半导体材料及制造工工艺有关

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你可能感兴趣的题目: H+-ISFET常用的敏感膜为Al2O3/SiO2绝缘膜 0; 气体与电解质反应或在电极表面发生氧化-还原反应,通过检测两个 0; ()对电击的防护不仅依靠基本绝缘,而且还有如双重绝缘或加强绝 0; 在GB9706.1-2007把医用电气设备分根据电击防护程度 0; 医用电气系统做了如下定义:多台设备的组合,其中至少有()台为 0; ()型应用部分:与设备其他部分相隔离的应用部分,其绝缘达到, 0; 当电流从体外经过皮肤流进体内,然后再流出体外,使人体受到点的 0; 在IEC中TC-62下()是制定各种医用电气设备规格标准的。 0; ()对电击的防护不仅依靠基本绝缘,而且还提供了与固定布线的保 0; 中国医院的信息化建设开始于上世纪()年代。 0

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